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SiC高温高能离子注入机(M56700-2/UM)
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SiC高温高能离子注入机(M56700-2/UM)

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  • 产品简介
  • 产品特点
  • 技术参数
  • 应用范围
  SiC高温高能离子注入机具有自主知识产权核心技术,先分析后加速的双磁铁结构,具有平行束技术,新型金属离子源和单片式高温靶台,固态Al离子源,满足高能高温状态下注Al、N的工艺要求。
  真空锁标准片盒装载,真空机械手传输,连续单片注入。
详情1
  •   大束流、长寿命Al离子源;
      高能量、等梯度静电加速器实现高能注入;
      双向偏转扫描系统配合角度校正,实现宽束平行束注入;
      热偶晶片温度测量系统实时监控注入温度;
      在线均匀性检测与实时校正控制,保证注入剂量均匀性与准确性;
      高产能,适应大批量生产。
  • 内容2
  •   晶片尺寸:4”~6”
      注入元素:Al、B、P、N
      最大能量:单电荷350KEV;双电荷700KEV
      束流: Al+,1000μA;Al++,200μA;B+,1200μA;P+,1500μA;N+,500uA
      均匀性指标:1σ≤0.5%
      重复性指标:1σ≤0.5%
      注入晶片温度:500℃;ΔT30℃
      产能:30片/小时(注入剂量:1E14ions/cm2)
  • 参数
  •   用于SiC基材的高压电力电子及大功率器件和GaAs基材的微波功率器件制造工艺中的掺杂注入。
  • 范围4
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